6月6日，业内瞩目的存储巨头铠侠KIOXIA，于近期召开的战略峰会上，高调揭幕了其在人工智能新时代下的长远扩张蓝图。据悉，铠侠正倾力打造一款专为满足AI应用对极致速度与强大性能的固态硬盘。
这款即将问世的SSD，将融合XL-FLASH高性能SLC NAND技术与创新固态硬盘主控技术，随机读取性能可高达10M IOPS，是当前市面上主流企业级TLC PCIe 5.0 SSD的3倍之多。铠侠预计将在明年下半年实现该产品的样品产出。
在存储金字塔的DRAM与常规NAND之间，铠侠还计划于2026年下半年推出支持CXL的XL-FLASH存储新品。同时，铠侠正携手南亚科技共同研发基于4F2布局的氧化物半导体（IGZO）通道晶体管DRAM内存OCTRAM，该技术有望实现超低漏电流和低功耗。
此次铠侠还公布了其NAND闪存的发展路线图，未来BiCS 10系列将达到332L制程，最大容量可达2Tb，接口速率突破4800MT/s，同时在读取延迟、写入功耗和比特密度方面也将实现显著提升。
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