韩媒透露，尽管三星电子在HBM（高带宽内存）领域的产品质量测试取得了一定突破，但其半导体业务部门依然深陷困境。特别是，在8层堆叠的HBM产品上，三星的供货速度落后于对手达一年之久，这在技术差距和市场份额争夺上形成了明显的短板。
面对这样的挑战，三星寄望于下一代HBM4产品，计划在今年实现量产。然而，现实情况并不容乐观。HBM4所需的10纳米级第七代（1c）DRAM尚未完成研发，材料准备的不充分使得HBM4的量产进度充满变数。业内专家警告：“除非高价值HBM订单大幅增加，否则三星DS（设备解决方案）部门的业绩难以实现实质性反弹。”
除了存储芯片，三星半导体在晶圆代工和系统LSI领域的业务也未见起色。据预测，2025年第一季度，该业务线将亏损超过2万亿韩元（约合99.2亿元人民币）。其中，核心产品Exynos 2500因性能和良率未达预期，未能应用于S25系列，导致亏损持续。
在晶圆代工领域，由于3纳米及以下先进工艺尚未获得大型客户订单，三星在高端客户争夺上的劣势可能短期内难以扭转。
面对重重困境，三星正全力推进2纳米制程及相关产品的研发。公司正集中资源开发Exynos 2600，并力争年内实现量产。一位知情人士透露：“目前2纳米制程的良率相比去年同期的3纳米水平更为稳定，三星在该技术节点上的投入与期待显著提升。”尽管前路充满挑战，但2纳米制程和HBM4被视为三星半导体业务能否实现逆转的关键。
三星聚焦2纳米技术及HBM4，力推Exynos 2600新突破
2025-04-09 14:54:08 来源:
大科技网
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韩媒透露，尽管三星电子在HBM（高带宽内存）领域的产品质量测试取得了一定突破，但其半导体业务部门依然深陷困境。特别是，在8层堆叠的HBM产品上，三星的供货速度落后于对手达一年之久，这在技术差距和市场份额争夺上形成了明显的短板。
面对这样的挑战，三星寄望于下一代HBM4产品，计划在今年实现量产。然而，现实情况并不容乐观。HBM4所需的10纳米级第七代（1c）DRAM尚未完成研发，材料准备的不充分使得HBM4的量产进度充满变数。业内专家警告：“除非高价值HBM订单大幅增加，否则三星DS（设备解决方案）部门的业绩难以实现实质性反弹。”
除了存储芯片，三星半导体在晶圆代工和系统LSI领域的业务也未见起色。据预测，2025年第一季度，该业务线将亏损超过2万亿韩元（约合99.2亿元人民币）。其中，核心产品Exynos 2500因性能和良率未达预期，未能应用于S25系列，导致亏损持续。
在晶圆代工领域，由于3纳米及以下先进工艺尚未获得大型客户订单，三星在高端客户争夺上的劣势可能短期内难以扭转。
面对重重困境，三星正全力推进2纳米制程及相关产品的研发。公司正集中资源开发Exynos 2600，并力争年内实现量产。一位知情人士透露：“目前2纳米制程的良率相比去年同期的3纳米水平更为稳定，三星在该技术节点上的投入与期待显著提升。”尽管前路充满挑战，但2纳米制程和HBM4被视为三星半导体业务能否实现逆转的关键。
责任编辑：Magic
